DMD桌面式高速高分辨无掩膜直写光刻系统
基于创新DMD的直写光刻工艺,
在保证高分辨及可靠性下极大提到作业产率,
大大减少了半导体器件试作的周期时间, 且小型台式设计降低购买成本和使用空间且保持了500 mm²/min高产率,
通过聚焦激光束扫描对基片表面的光刻胶直接进行变剂量曝光, 实现微米至纳米尺度的图案加工无需掩模版;
光束引擎将紫外激光束聚焦到衍射极限点,
通过该聚焦点依照设计好的图案扫描对光刻胶进行曝光; 同时针对大尺寸晶圆/基片, 通过精密步进器移动晶圆/基片进行多次曝光, 接着缝合多次曝光图案, 完成对整个晶圆/基片的微纳米图案加工, 获得业内最高400nm的特征线宽及最高65,536阶的灰度光刻性能.
